“저전력 고속 연산 AI 반도체 길 열렸다” 교자성체 메모리 소자 개발
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교자성체 반도체 소자의 구조와 터널자기저항 측정 결과. 연구그림=UNIST
산화루테늄 교자성체 기반 자기 터널 접합 소자를 개발하고 이 소자에서 유효한 크기의 터널 자기저항(Tunneling magnetoresistance, TMR)을 측정하는 데 성공한 연구진. (왼쪽 하단부터 반시계 방향) 유정우 교수, 노승현 연구원(제1저자), 김계현 연구원(제1저자), 손창희 교수. 사진제공=UNIST
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