현대전자는 지금까지 개발된 복합칩 제조기술중가장 미세한 회로선폭 기술을 적용한 첨단 주문형 메모리 복합칩의 제2세대 제조기술을 개발했다고 28일 밝혔다.
이번에 개발된 회로선폭 0.21㎛(1㎛은 1백만분의1ｍ)의 제조기술을 적용하면 한개의 칩에 최대 1백28메가D램과 고성능 로직 트랜지스터를 동시에 내장한 복합칩 제조가 가능하다고 현대전자는 설명했다.
또 이 기술은 기존의 D램공정과 호환이 가능해 추가투자를 최소화할 수 있고 웨이퍼당 생산량도 기존 0.35㎛ 기술보다 2배 이상 늘릴 수 있다.
메모리 복합칩은 비메모리칩의 일종인 로직칩과 메모리칩이 따로 존재할 경우단점인 입출력단수의 제한과 잡음, 전력소모 등을 극복하기 위해 개발된 기술로 향후 여러개의 서로 다른 칩으로 구성된 시스템을 한개의 칩으로 집적한 `시스템 온칩'에 적용할 수 있는 기반기술이다.
현대전자는 지난해말 24메가급 0.35㎛ 복합칩 기술 개발에 이어 8개월만에 개발에 성공한 0.21㎛ 복합칩을 내년 상반기중 양산에 들어간 뒤 내년중 이 기술을 응용한 S램 복합칩을 선보이고 2000년까지 0.15㎛ 기술을 적용한 `시스템 온 칩' 제조및 설계기술을 개발할 계획이라고 밝혔다.
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