SK하이닉스가 23일 2024년도 4분기 실적설명회를 통해 “올 하반기부터 일반 D램에 10나노급 6세대(1c) D램 기술을 적용해 양산을 시작한다”면서도 “올해 설비 투자의 상당 부분이 고대역폭메모리(HBM)와 인프라 투자에 집중될 예정”이라고 밝혔다. 이 발언은 올해 1c D램 투자 확대보다는 현재 양산하고 있는 5세대 HBM(HBM3E)에 필요한 10나노급 5세대(1b) D램 생산에 집중하겠다는 것으로 풀이된다.
또한 “1c 제품은 개발 단계에서 초기에 목표로 했던 양산 수율을 상회하고 있다"고도 덧붙였다.
