황철성 서울대학교 석좌교수. 사진제공=과학기술정보통신부황철성 서울대학교 석좌교수가 과학기술정보통신부와 한국과학기술단체총연합회가 선정하는 2025년 ‘대한민국최고과학기술인상’ 수상자로 3일 선정됐다.
대한민국최고과학기술인상은 한국을 대표하는 연구 성과를 이룬 과학기술인을 발굴, 국민에게 널리 알리고 명예와 자긍심을 높이고자 2003년부터 시상해 온 국내 최고 권위의 과학기술인상으로 지금까지 총 47명이 수상했다. 과기정통부 등은 지난해 말부터 공모와 발굴, 추천을 통해 후보자를 뽑고, 3단계 심사 과정을 거쳐 최종 수상자 1명을 선정했다. 수상자는 연구개발 업적뿐만 아니라 우리나라 경제 발전 기여도, 국민 생활 향상에 미친 영향 등을 종합 평가해 선정됐다.
올해 수상자로 선정된 황철성 교수는 기존 디램(DRAM), 낸드플래시(NAND flash) 등의 메모리 반도체 분야를 뛰어넘는 새로운 소자와 물질 발견에 크게 기여했으며, 특히 저항 스위칭 재료 및 소자 분야의 선구적 업적으로 국가 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받았다.
황 교수는 서울대학교 무기재료공학과에서 학·석·박사를 마친 후 삼성전자 반도체 연구소에서 선임연구원으로 근무한 후 1998년부터 모교 재료공학부 교수로 재직해 왔다. 현재까지 석사 65명, 박사 100명을 배출하는 등 차세대 반도체 분야 전문 인력 양성에 기여하고 있다.
황 교수는 동료 교수들과의 협력 연구를 통해 ‘플래티넘·이산화티타늄·플래티넘 구조(Pt/TiO2/Pt) 시스템’ 내 나노 필라멘트를 직접적으로 분석해, 저항 변화 메모리 소자의 전환 메커니즘이 마그넬리상(Magnéli phase) 티타늄산화물(TinO2n-1) 필라멘트의 형성과 붕괴로 발생한다는 것을 최초로 확인한 공로를 인정 받았다. 해당 연구는 2010년 네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology)에 발표된 이후 현재까지 2450회 이상 인용되며, 저항 변화 메모리 반도체 분야에서 인용 빈도수 상위 다섯 번 째 내 논문으로 자리매김했다.
그밖에 황 교수는 SCI 논문 750편을 발표하고, 국내외 특허 227건(142건 출원, 85건 등록)과 기술 이전 16건 등 학술 연구뿐만 아니라 지속적인 산·학 협력 등을 통해 반도체 산업 발전에도 크게 공헌하고 있다. 또한 최근에는 인간의 뇌처럼 작동하는 뉴로모픽 반도체 개발 연구에 힘쓰고 있어 향후 지속 가능한 반도체 분야 기술 개발에 기여할 것으로 기대된다. 과기정통부는 오는 9일 한국과학기술회관에서 개최하는 2025 세계 한인 과학기술인대회 개회식에서 수상자에게 대통령 상장과 상금 3억원을 수여할 계획이다.
