기존 반도체 두께 인증표준물질은 10nm급 이상의 실리콘 산화막을 기반으로 차세대 반도체 산업에 적용하기에 한계가 있었다.
이번에 개발된 인증표준물질은 실리콘 기판위에 실리콘 산화막을 씌운 뒤 그 위에 수 나노미터 두께의 전류누설 차단능력과 절연특성이 좋은 ‘하프늄 산화막’을 원자층 단위 두께로 증착시키는 기술을 활용했다. 이를 통해 기존 방식에서 발생하는 두께 측정 불확도 요소를 제거한 것.
또 연구팀은 정밀한 측정이 가능한 X-선 반사법을 이용해 5nm급 두께에 대해 0.7%의 두께 차이를 구분할 수 있을 정도로 정밀하게 인증했다.
김창수 박사는 “이번 기술 개발을 통해 초미세 반도체 제조 공정에 보다 정확한 두께 표준을 제공할 것”이라며 “ 반도체, 디스플레이, 나노전자소자 및 나노소재 개발 등 산업체 연구개발 현장에 제공하며 연구소, 학교 등으로 확대 보급할 계획”이라고 말했다.
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